BIGFET

BIGFET
BỊGFET
 
[Abkürzung für englisch Bipolar insulated gate fieldeffect transistor »bipolarer Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate«], integriertes Halbleiterbauelement, das eingangsseitig aus einem MOS-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET) und ausgangsseitig aus einem Bipolartransistor besteht; dabei ist die Drainzone des IGFET gleichzeitig die Basiszone des als Emitterfolger geschalteten Bipolartransistors. Der BIGFET hat einen sehr hohen Eingangswiderstand und liefert einen hohen Ausgangsstrom.

Universal-Lexikon. 2012.

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